2. 医学
  3. A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃ B、高于体瓷烧结温度10℃ C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E、防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

admin2012-01-09  32
问题 A、低于体瓷烧结温度6～8℃       B、高于体瓷烧结温度10℃      C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间       D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡      E、防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
选项 A、 
B、 
C、 
D、 
E、 
答案E
解析 金属基底冠须均匀朝一个方向磨去一薄层，防止磨料污染金属表面，再经临床试戴后，进行喷砂。经打磨、喷砂的金属帽状冠应进行清洁后才能进行下一步工作。
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专业知识

口腔医学技术（103）

卫生专业技术资格初级（士）

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