下列的说法中,正确的是( )。 Ⅰ.双端口存储器可以同时访问同一区间、同一单元 Ⅱ.双端口存储器当两个端口的地址码相同时,必然会发生冲突 Ⅲ.高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理 Ⅳ.高位四体交叉存储器可能在

admin2019-05-10  43

问题 下列的说法中,正确的是(    )。
    Ⅰ.双端口存储器可以同时访问同一区间、同一单元
    Ⅱ.双端口存储器当两个端口的地址码相同时,必然会发生冲突
    Ⅲ.高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理
    Ⅳ.高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问四个模块

选项 A、Ⅰ和Ⅲ
B、Ⅱ和Ⅲ
C、Ⅰ和Ⅳ
D、只有Ⅰ

答案C

解析 本题考查双端口存储器和交叉存储器的特点。双端口RAM的两个端口具有2组相互独立的地址线、数据线和读写控制线,因此可以同时访问同一区间、同一单元,Ⅰ正确,但是其中任一个端口都不可有写操作;当两个端口同时对相同的单元进行读操作时,则不会发生冲突,Ⅱ错误。高位多体交叉存储器由于在单个存储器中字是连续存放的,所以不能保证程序的局部性原理;而低位多体交叉存储器由于是交叉存放,所以能很好地满足程序的局部性原理,ⅡI错误。高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取,但仍可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字,只是这么读的概率较小,Ⅳ正确。
    注意:高位多体交叉存储器仍然是顺序存储器。
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