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  3. A．Na+ B．K+ C．Mg2+ D．Cl- E．Ca2+ 抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对( )离子通透性增加所致

A．Na+ B．K+ C．Mg2+ D．Cl- E．Ca2+ 抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对( )离子通透性增加所致

admin2012-11-30  38
问题 A．Na+
B．K+
C．Mg2+
D．Cl-
E．Ca2+
抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜对(    )离子通透性增加所致
选项 A、 

B、 

C、 

D、 

E、 

答案D
解析
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