下列关于双端口存储器和交叉存储器的叙述中,正确的是( )。

admin2019-08-15  26

问题 下列关于双端口存储器和交叉存储器的叙述中,正确的是(    )。

选项 A、双端口存储器两个端口使用同一组地址线、数据线和读写控制线,同时访问同一区间、同一单元。
B、双端口存储器当两个端口同时访问相同的地址码时必然会发生冲突
C、高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理
D、高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问四个模块

答案D

解析 双端口RAM的两个端口具有2组相互独立的地址线、数据线和读写控制线,因此可以同时访问同一区间、同一单元,故选项A错误。当两个端口同时对相同的单元进行读操作时,不会发生冲突,故选项B错误。高位多体交叉存储器由于在单个存储器中字是连续存放的,所以不能保证程序的局部性原理;而低位多体交叉存储器由于是交叉存放,所以能很好地满足程序的局部性原理,故选项C错误。高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取,但仍可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字,只是这样读的概率较小,故选项D正确。
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