下图是某存储芯片的引脚图,请回答: (1)这个存储芯片的类型(是RAM还是ROM)?这个存储芯片的容量? (2)若地址线增加一根,存储芯片的容量将变为多少? (3)这个芯片是否需要刷新?为什么?刷新和重写有什么区别。 (4)

admin2013-07-12  35

问题 下图是某存储芯片的引脚图,请回答:
    (1)这个存储芯片的类型(是RAM还是ROM)?这个存储芯片的容量?
    (2)若地址线增加一根,存储芯片的容量将变为多少?
    (3)这个芯片是否需要刷新?为什么?刷新和重写有什么区别。
    (4)如果需要刷新,请指出芯片刷新一遍需要的时间(设存取周期为0.5μs)及你准备选择的刷新方式,需说明理由。

选项

答案(1)芯片类型是RAM,且为动态RAM(DRAM),芯片容量64K×1。 (2)由于地址线是复用的,若地址线增加一根,容量增加4倍,芯片的容量变为256K×1。 (3)需要刷新,因为是DRAM是用电容存储信息的。重写是随机的,刷新是定时的。重写按存储单元进行,刷新按存储体一行行地进行。 (4)64K×1芯片的内部为256×256的矩阵,芯片刷新一遍需要的时间=256×0.5μs=128μs。采用异步刷新方式最好,死区小,刷新次数少。

解析 第43题图中有地址线8根,输入/输出数据线各1根,另有读写控制线WE和行、列选通线RAS、CAS。从给出的芯片管脚可以看出,这是一个可读可写的动态随机存储(DRAM)芯片。
[归纳总结]由于DRAM芯片集成度高,容量大,为了减少芯片引脚数量,DRAM芯片把地址线分成相等的两部分,分两次从相同的引脚送入。两次输入的地址分别称为行地址和列地址,行地址由行地址选通信号(RAS)送入存储芯片,列地址由列地址选通信号(CAS)送入存储芯片。由于采用了地址复用技术,因此,DRAM芯片每增加一条地址线,实际上是增加了两位地址,也即增加了4倍的容量。
    刷新和重写是两个完全不同的概念,重写是随机的,某个存储单元只有在破坏性读出之后才需要重写。而刷新是定时的,即使许多记忆单元长期未被访问,若不及时补充电荷的话,信息也会丢失。重写一般是按存储单元进行的,而刷新通常以存储体矩阵中的一行为单位进行的。
    常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中刷新方式的优点是读写操作时不受刷新工作的影响,但在集中刷新期间必须停止读写,这一段时间称为“死区”,存储容量越大,死区就越长;分散刷新方式没有死区,但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁;异步刷新方式可以看成前述两种方式的结合,它充分利用了最大刷新间隔时间,同时死区很小。
[解题技巧]首先需要对存储芯片的引脚图中各引脚的含义有正确的理解,否则很容易得出错误的结论。
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