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抑制性突触后电位(1PSP)形成是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的

admin2012-01-05  21
问题 抑制性突触后电位(1PSP)形成是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的
选项 A、Na+、K+、C1-，尤其Na+
B、Na+、K+、C1-，尤其Cl-
C、K+、Cl-，尤其Cl-
D、K+、C1-，尤其K+
E、Ca2+、Na+，尤其Ca2+
答案C
解析
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