A．K＋ B．Na＋ C．Ca2＋ D．Cl－ E．H＋可产生抑制性突触后电位的离子基础是 ( )

admin2015-10-22 30

问题 A．K^＋
B．Na^＋
C．Ca^2＋
D．Cl^－
E．H^＋
可产生抑制性突触后电位的离子基础是 ( )

选项 A、
B、
C、
D、
E、

答案D

解析抑制性突触后电位产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使胞膜上的配体门控Cl^－通道开放，引起Cl^－内流，突触后膜发生超极化。

转载请注明原文地址:https://jikaoti.com/ti/HYFLFFFM

第一单元

相关试题推荐

随机试题

最新回复(0)