A.低于体瓷烧结愠度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

admin2011-12-18  54

问题 A.低于体瓷烧结愠度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

选项 A、 
B、 
C、 
D、 
E、 

答案E

解析
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